财经

减少供应维持高价
三星芯片产量拟降速

(首尔21日讯)知情人士透露,三星电子计划明年下调内存芯片产量的增速,以在需求放缓的情况下保持供应紧张。

不愿公开身分的知情人士表示,此举将有助于维持或推高半导体价格。



他们透露,三星目前预计动态随机存取存储器(DRAM)容量增速在不到20%,Nand闪存增速在30%。

三星今年早些时候曾表示,预计DRAM今年增速在20%,而Nand则在40%。

内存容量增速是衡量市场需求的试金石。预测的下降可能导致芯片制造商削减设备和材料订单等投资,同时限制供应并推高价格。

三星是全球最大的Nand和DRAM生产商,并和SK海力士及美光科技一道控制着智能手机、电脑及其他数字数据存储设备的关键部件供应。

满意寡头垄断结构



 彭博行业研究驻香港的分析员安西娅赖(译音)说:“如果三星确实削减其DRAM容量增长,则表明该公司对目前的寡头垄断市场的结构感到满意。”

“三星倾向于保持供应的紧张和高价,而不是占据市场份额并冒降价的风险,因此DRAM价格保持强劲的可能性更高。”

半导体是三星最大和最赚钱的业务,它为自己的设备生产芯片并销售给其它智能手机制造商。

芯片部门2017年创造了35.2兆韩元(约1304亿令吉)的营业收入,按年增长了一倍以上,推动该公司业绩达到创纪录水平。

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将在得州扩建半导体厂 三星电子获美政府306亿补助

(华盛顿16日讯)美国商务部于当地时间15日宣布,将向三星电子(SAMSUNG)提供64亿美元补助,用于在得克萨斯州泰勒市(Taylor)生产先进半导体制程的工厂。为此,韩国三星电子决定扩大投资规模,预计2030年以前将投入450亿美元(约2153亿令吉)。

根据《韩联社》,美国商务部长雷蒙多(Gina Raimondo)前一天在简报会议中正式公布,将依据“芯片法案”向三星电子提供64亿美元(约306亿令吉)的补助款。

为此,原本三星电子已经计划投资170亿美元(约814亿令吉)在美国得克萨斯州泰勒市设立先进半导体工厂,工厂从2022年开始盖,目前仍在兴建当中,如今更将决定投入先前投资额的2倍,计划在2030年以前投资450亿美元,并计划兴建第二座工厂。

三星电子在得州泰勒市的第一座工厂将预计从2026年起投入4奈米、2奈米半导体的生产,至于第二座工厂则预计从2027年起投入先进半导体量产,而研究开发设施更预计2027年开幕。

据悉,三星电子是获取美国半导体补助第三多的企业,仅次于英特尔的85亿美元(约407亿令吉)、台积电(TSMC)的66亿美元(约325亿令吉)。

新闻来源:ETtoday

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