财经

去年超越英特尔
三星首登晶片王

(首尔30日讯)最新研究显示,韩国三星电子2017年全球半导体总销售额超越英特尔(Intel),首次登上全球晶片业王座。



但专家认为三星是“沙上建塔”,一旦记忆晶片价格回跌,英特尔将重新夺魁。

根据《经济日报》,IHS市场的报告指出,去年三星半导体营收额增长53.6%,为620.31亿美元(2419.2亿令吉),创下新高。

英特尔则增长12%,为614.06亿美元(约2394.83亿令吉)。

报告指出,去年全球半导体市场总额扩大21.7%至4291亿美元(约1.67兆令吉)。营收增长率最高的是韩国海力士(SK Hynix),达81%,美国的美光(Micron)居次,增长80%。

三星夺冠靠的是记忆晶片市场快速增长,且价格大涨,但这项产品的价格一向不稳定。



领先优势料难保持

IHS与顾能公司都表示,三星去年虽然抡元,但基础并不如英特尔稳固。

目前,业界专家并不相信三星将能持续领先英特尔。

顾能分析员诺伍德表示,三星营收增长额的三分之二都来自记忆晶片,“三星的领先地位是盖在沙上,靠的是记忆晶片”。

英特尔最主要的营收仍来自微处理器;记忆晶片营收去年增长37%,为35亿美元(约136.5亿令吉),仅占总营收628亿美元(约2449.2亿令吉)的一小部分。

诺伍德预测,2018年NAND快闪晶片价格将先走软,DRAM晶片将于2019年跌价,主因中国扩大记忆晶片产能,“我们预测届时三星将失去营收王座” 。

IHS认为,一旦记忆晶片市场生变,英特尔重新夺魁;以往经验显示,每当记忆晶片大涨时,三星营收便强劲增长,但晶片跌价时营收便回落,相同情势未来可能重演。

然而,记忆晶片大厂美光坚信,最近晶片涨势与以往不同,将持续更久。

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将在得州扩建半导体厂 三星电子获美政府306亿补助

(华盛顿16日讯)美国商务部于当地时间15日宣布,将向三星电子(SAMSUNG)提供64亿美元补助,用于在得克萨斯州泰勒市(Taylor)生产先进半导体制程的工厂。为此,韩国三星电子决定扩大投资规模,预计2030年以前将投入450亿美元(约2153亿令吉)。

根据《韩联社》,美国商务部长雷蒙多(Gina Raimondo)前一天在简报会议中正式公布,将依据“芯片法案”向三星电子提供64亿美元(约306亿令吉)的补助款。

为此,原本三星电子已经计划投资170亿美元(约814亿令吉)在美国得克萨斯州泰勒市设立先进半导体工厂,工厂从2022年开始盖,目前仍在兴建当中,如今更将决定投入先前投资额的2倍,计划在2030年以前投资450亿美元,并计划兴建第二座工厂。

三星电子在得州泰勒市的第一座工厂将预计从2026年起投入4奈米、2奈米半导体的生产,至于第二座工厂则预计从2027年起投入先进半导体量产,而研究开发设施更预计2027年开幕。

据悉,三星电子是获取美国半导体补助第三多的企业,仅次于英特尔的85亿美元(约407亿令吉)、台积电(TSMC)的66亿美元(约325亿令吉)。

新闻来源:ETtoday

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