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三星亮相新技术!
手机能“远距离无线”充电

现有的无线充电技术需要让智慧型手机接触到充电板,才会开始充电,不过三星的新技术则是采用发送充电讯号的方式。(网络图)

(纽约26日讯)据外媒《Phone Arena》消息,世界知识产权组织(WIPO)近期核准了三星(Samsung)2016 年申请的一项专利。该专利将允许无线行动装置,能以“远距离隔空”的型式来充电并维持续航。

现有的无线充电技术基本上均符合 QI 标准,需要让智慧型手机接触到充电板,才会开始充电,不过三星的新技术则是采用发送充电讯号的方式。只要让手机进到装置的范围内,就会开始自动充电,达到真正“完全无线”的充电效果。



专利内容指出,该技术是将能量集中在一个 OTA 发送装置上,只要用户在讯号范围内走动,手机就会自动接收无线讯号并加电。此外,该专利亦表示发送器可以不受密闭空间内的障碍物影响,能始终保持讯号强度。

不过,目前三星的这项技术其实还停留在理论阶段,但这项显然十分实用的技术,仍有望在未来三至五年内实体化。

新闻来源:自由时报

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将在得州扩建半导体厂 三星电子获美政府306亿补助

(华盛顿16日讯)美国商务部于当地时间15日宣布,将向三星电子(SAMSUNG)提供64亿美元补助,用于在得克萨斯州泰勒市(Taylor)生产先进半导体制程的工厂。为此,韩国三星电子决定扩大投资规模,预计2030年以前将投入450亿美元(约2153亿令吉)。

根据《韩联社》,美国商务部长雷蒙多(Gina Raimondo)前一天在简报会议中正式公布,将依据“芯片法案”向三星电子提供64亿美元(约306亿令吉)的补助款。

为此,原本三星电子已经计划投资170亿美元(约814亿令吉)在美国得克萨斯州泰勒市设立先进半导体工厂,工厂从2022年开始盖,目前仍在兴建当中,如今更将决定投入先前投资额的2倍,计划在2030年以前投资450亿美元,并计划兴建第二座工厂。

三星电子在得州泰勒市的第一座工厂将预计从2026年起投入4奈米、2奈米半导体的生产,至于第二座工厂则预计从2027年起投入先进半导体量产,而研究开发设施更预计2027年开幕。

据悉,三星电子是获取美国半导体补助第三多的企业,仅次于英特尔的85亿美元(约407亿令吉)、台积电(TSMC)的66亿美元(约325亿令吉)。

新闻来源:ETtoday

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